Characterization of Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor(MFMIS) FETs Using (Sr,Sm)_<0.8>Bi_<2.2>Ta_2O_9 (SSBT) Thin Films
Characterization of Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor(MFMIS) FETs Using (Sr,Sm)_<0.8>Bi_<2.2>Ta_2O_9 (SSBT) Thin Films
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使用 (Sr,Sm)_<0.8>Bi_<2.2>Ta_2O_9 (SSBT) 薄膜表征金属-铁电-金属-绝缘体-半导体 (MFMIS) FET
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hirokazu Saiki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takaaki Miyasako;Masaru Senoo;Eisuke Tokumitsu;Takaaki Miyasako;Hirokazu SAIKI;Takaaki MIYASAKO;Makoto Nakayama;Hirokazu Saiki
