Selective etching of InP and InGaAsP over AlInAs using CH4/H2 reactive ion etching
Selective etching of InP and InGaAsP over AlInAs using CH4/H2 reactive ion etching
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使用 CH4/H2 反应离子蚀刻在 AlInAs 上选择性蚀刻 InP 和 InGaAsP
DOI：
10.1063/1.109125
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发表时间：
1993
影响因子：
4
通讯作者：
A. Piccirillo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Arnot;R. Glew;G. Schiavini;L. Rigby;A. Piccirillo
在不添加含氟气体的情况下，使用CH 4/H2反应离子蚀刻获得InP和InGaAsP在AlInAs上的选择性蚀刻。通过调节甲烷与氢气的比率、压力和功率，可以抑制反应的AlInAs蚀刻产物的溅射解吸，从而使得AlInAs能够用作蚀刻停止层。不含氟的混合物的使用使得诸如二氧化硅或氮化物的无机物能够用作掩模材料。
Selective etching of InP and InGaAsP over AlInAs was obtained using CH4/H2 reactive ion etching without the addition of a fluorine containing gas. By tuning the methane‐to‐hydrogen ratio, pressure, and power, sputter desorption of the reacted AlInAs etch products can be inhibited, thus enabling AlInAs to be used as an etch stop layer. The use of a fluorine free mixture enables dielectrics such as silicon dioxide or nitride to be used as the masking material.