Deep UV detectors with a novel Ga_2O_3 semiconductor
Deep UV detectors with a novel Ga_2O_3 semiconductor
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采用新型 Ga_2O_3 半导体的深紫外探测器
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takayoshi Oshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takayoshi Oshima;Takayoshi Oshima;Takayoshi Oshima;Takayoshi Oshima;Takayoshi Oshima;大島孝仁;大島孝仁;大島孝仁;大島孝仁;Takayoshi Oshima
