First-principles study of electron transport in Si atom wires under finite bias voltage
First-principles study of electron transport in Si atom wires under finite bias voltage
复制标题
有限偏压下硅原子线电子输运的第一性原理研究
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Kusaka;N.Kobayashi
