Semiconductor phonon cavities

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半导体声子腔

DOI：
10.1002/pssc.200405275
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发表时间：
2004
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
通讯作者：
B. Perrin
B. Perrin
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
P. Lacharmoise;A. Fainstein;B. Jusserand;B. Perrin

文献摘要

被引文献

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低能声子被强烈限制在半导体声学微腔中。当声学器件被包括在光子-声子耦合腔中时，它们支配拉曼光谱。本文讨论了声子腔的皮秒声学研究，并给出了GaAs/AlAs分布布拉格反射器的初步结果。（© 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
Low energy phonons are strongly confined in semiconductor acoustic microcavities. They dominate the Raman spectrum when the acoustic device is included in a photon-phonon coupled cavity. We discuss the study of phonon cavities by picosecond acoustics and present preliminary results on GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors. (© 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)