T.Hashizume: "Stable Passivation Systems for GaAs Prepared by Room Temperature Deposition of SiO2 Films" Japanese Journal of Applied Physics. 33. 3887-3888 (1994)
T.Hashizume: "Stable Passivation Systems for GaAs Prepared by Room Temperature Deposition of SiO2 Films" Japanese Journal of Applied Physics. 33. 3887-3888 (1994)
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T.Hashizume：“通过室温沉积 SiO2 薄膜制备的 GaAs 的稳定钝化系统”日本应用物理学杂志。
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