Effect of NH3 Input Partial Pressure on InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
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复制标题
NH3 输入分压对三卤化物气相外延生长 InGaN 的影响
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Hirasaki;T. Hasegawa;M. Meguro;H. Murakami;Y. Kumagai;B. Monemar;A. Koukitu
