極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
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极低氮浓度 GaAsN 中单轴应力对等电子陷阱发射的影响
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
矢口裕之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
新井佑也;遠藤雄太;八木修平;土方泰斗;窪谷茂幸;尾鍋研太郎;片山竜二;矢口裕之
