Surface segregation behavior of Sb, B, Ga, and As dopant atoms on Ge(100) and Ge(111) surface examined with afirst-principles method
Surface segregation behavior of Sb, B, Ga, and As dopant atoms on Ge(100) and Ge(111) surface examined with afirst-principles method
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第一性原理方法研究Ge(100)和Ge(111)表面Sb、B、Ga和As掺杂原子的表面偏析行为
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Maruizumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Hashizume;Y. Hori;and C. Mizue;T. Maruizumi
