Discrete gate bias modulation of a class-G modulated RF power amplifier
Discrete gate bias modulation of a class-G modulated RF power amplifier
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G 类调制射频功率放大器的离散栅极偏置调制
DOI：
10.1109/eumc.2016.7824471
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
O. Bengtsson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Wolff;W. Heinrich;O. Bengtsson
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40 W G 类调制微波功率放大器的线性分析
DOI：
10.1109/eumic.2015.7345145
发表时间：
2015
期刊：
2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
影响因子：
--
作者：
N. Wolff;O. Bengtsson;Martin Schmidt;M. Berroth;W. Heinrich
通讯作者：
W. Heinrich
RF 应用的电源调制
DOI：
10.1109/epepemc.2012.6397531
发表时间：
2012
期刊：
2012 15th International Power Electronics and Motion Control Conference (EPE/PEMC)
影响因子：
--
作者：
A. Brackle;L. Rathgeber;F. Siegert;S. Heck;M. Berroth
通讯作者：
M. Berroth
双极型晶体管在动态电源发射器中的应用
DOI：
10.1109/bctm.2016.7738974
发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM)
影响因子：
--
作者：
E. McCune
通讯作者：
E. McCune
A%20三级%20G级%20调制%201%2085%20GHz%20RF%20power%20放大器%20for%20LTE%20applications%20with%20over%2050%%20PAE
DOI：
10.1109/mwsym.2016.7540389
发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS)
影响因子：
--
作者：
N. Wolff;W. Heinrich;M. Berroth;O. Bengtsson
通讯作者：
O. Bengtsson