Spin Hall magnetoresistance in quasi-two-dimensional antiferromagnetic-insulator/metal bilayer systems
Spin Hall magnetoresistance in quasi-two-dimensional antiferromagnetic-insulator/metal bilayer systems
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准二维反铁磁绝缘体/金属双层系统中的自旋霍尔磁阻
DOI：
10.1103/physrevb.107.054426
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发表时间：
2023
影响因子：
3.7
通讯作者：
Kato T.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ishikawa T.;Matsuo M.;Kato T.
研究了反铁磁绝缘体/金属双层体系中自旋霍尔磁阻（SMR）的温度依赖性。我们通过量子蒙特卡罗模拟计算了SMR信号的振幅，并研究了SMR如何依赖于自旋的振幅、反铁磁绝缘体层的厚度和交换相互作用的随机性。我们的简单量子自旋模型的结果为理解磁性化合物原子层上的SMR测量提供了一个有用的起点。
We study the temperature dependence of spin-Hall magnetoresistance (SMR) in antiferromagnetic-insulator/metal bilayer systems. We calculate the amplitude of the SMR signal by using a quantum Monte Carlo simulation and examine how the SMR depends on the amplitude of the spin, thickness of the antiferromagnetic-insulator layer, and randomness of the exchange interactions. Our results for simple quantum spin models provide a useful starting point for understanding SMR measurements on atomic layers of magnetic compounds.