Impact of process and geometrical parameters on the electrical characteristics of vertical nanowire silicon n-TFETs
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DOI：
10.1016/j.sse.2011.12.008
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发表时间：
2012-06
影响因子：
1.7
通讯作者：
A. Vandooren;D. Leonelli;R. Rooyackers;K. Arstila;G. Groeseneken;C. Huyghebaert
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Vandooren;D. Leonelli;R. Rooyackers;K. Arstila;G. Groeseneken;C. Huyghebaert
