Strained-layer quantum well materials grown by MOCVD for diode laser application
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DOI：
10.1016/j.pquantelec.2020.100303
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发表时间：
2021
影响因子：
11.7
通讯作者：
L. Mawst;Honghyuk Kim;Gary L. Smith;Wei‐Che Sun;N. Tansu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Mawst;Honghyuk Kim;Gary L. Smith;Wei‐Che Sun;N. Tansu
