Kouichi Kushi et al.: "High speed growth of device quality GaN and InGaN by RF-MBE"Materials Science & Engineering B. B59. 65--68 (1999)
Kouichi Kushi et al.: "High speed growth of device quality GaN and InGaN by RF-MBE"Materials Science & Engineering B. B59. 65--68 (1999)
复制标题
Kouichi Kushi 等人：“通过 RF-MBE 高速生长器件质量 GaN 和 InGaN”材料科学
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
