Semiconductor-Metal transition of correlated narrow-gap semiconductors under ultra-high magnetic fields up to 500 Tesla
Semiconductor-Metal transition of correlated narrow-gap semiconductors under ultra-high magnetic fields up to 500 Tesla
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相关窄带隙半导体在高达 500 特斯拉的超高磁场下的半导体-金属转变
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Daisuke Nakamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中村大輔;松浦航;中山裕之;山田貴大;池田暁彦;松田康弘;伊賀文俊;Daisuke Nakamura
