平本俊郎: "不純物揺らぎによるしきい値電圧ばらつきを考慮したデルタドープ型MOSFETのスケーリング" 重点領域研究「極限集積化シリコン知能エレクトロニクス」公開シンポジウム論文集. (発行予定). (1998)
平本俊郎: "不純物揺らぎによるしきい値電圧ばらつきを考慮したデルタドープ型MOSFETのスケーリング" 重点領域研究「極限集積化シリコン知能エレクトロニクス」公開シンポジウム論文集. (発行予定). (1998)
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Toshiro Hiramoto：“考虑到杂质波动导致的阈值电压变化的 Delta 掺杂 MOSFET 的缩放”优先领域研究“最终集成硅智能电子”公共研讨会论文集（即将出版）（1998 年）。
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