Preparation of large GaN substrates
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DOI：
10.1016/s0921-5107(02)00048-x
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发表时间：
2002-05
影响因子：
3.6
通讯作者：
Kensaku Motoki;T. Okahisa;S. Nakahata;N. Matsumoto;H. Kimura;H. Kasai;K. Takemoto;K. Uematsu;M. Ueno;Y. Kumagai;A. Koukitu;H. Seki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kensaku Motoki;T. Okahisa;S. Nakahata;N. Matsumoto;H. Kimura;H. Kasai;K. Takemoto;K. Uematsu;M. Ueno;Y. Kumagai;A. Koukitu;H. Seki
