H.Takahashi: "Novel Inp Metal-Insulator Semiconductor Structure Having an Ultrathin Silicon Interface Control Layer" Appl.Sur.Sci.vol123/124. 615-618 (1998)

H.Takahashi: "Novel Inp Metal-Insulator Semiconductor Structure Having an Ultrathin Silicon Interface Control Layer" Appl.Sur.Sci.vol123/124. 615-618 (1998)
复制标题

H.Takahashi:“具有超薄硅界面控制层的新型 Inp 金属-绝缘体半导体结构”Appl.Sur.Sci.vol123/124。

DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
--
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:

文献摘要

相似文献