Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate

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DOI:
10.1088/1674-4926/40/10/101801
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发表时间:
2019
期刊:
J. Semicond.
影响因子:
--
通讯作者:
Shaoyan yang
Shaoyan yang
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Jun Hu;Hongyuan Wei;Shaoyan yang

文献摘要

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