First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma CVD - Surface Local Temperature -
First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma CVD - Surface Local Temperature -
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大气压等离子体CVD低温生长外延硅膜的第一性原理分析 - 表面局部温度 -
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Hirose and K. Yasutake
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Inagaki;S. Kakeya;K. Hirose and K. Yasutake
