Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体のアノードエッチング
Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体のアノードエッチング
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III-V族化合物半导体的阳极蚀刻
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
阿相英孝，小野幸子
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hayakawa K.;Nakamura T.;阿相英孝，小野幸子
