Hall effect investigations of 4H-SiC epitaxial layers grown on semi-insulating and conducting substrates
Hall effect investigations of 4H-SiC epitaxial layers grown on semi-insulating and conducting substrates
复制标题
半绝缘和导电衬底上生长的 4H-SiC 外延层的霍尔效应研究
DOI：
--
复制
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Rottner
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Schöner;S. Karlsson;T. Schmitt;N. Nordell;M. Linnarsson;K. Rottner
