New Chemical Planarization of SiC and GaN using Fe plate in H_2

在 H_2_2 溶液中使用 Fe 板对 SiC 和 GaN 进行新型化学平坦化

DOI：

发表时间：

2007

期刊：

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通讯作者：

中科院分区：

文献类型：

作者：

J. Murata;A. Kubota;K. Yagi;Y. Sano;H. Hara;K. Arima;T. Okamoto;H. Mimura and K. Yamauchi