横方向液相エピタキシャル成長により作製したGOI MOSFETのキャリア移動度評価
横方向液相エピタキシャル成長により作製したGOI MOSFETのキャリア移動度評価
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横向液相外延生长GOI MOSFET的载流子迁移率评估
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松江将博
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toma Kanehira;and Hiroyuki Awano;松江将博
