T.Yoshida,et al: "Reduction of p-ZnTe/p-ZnSe Valence Band Discontinuity by a Ga2Se3 Interfacial Layer" J.Crystal Growth. 159. 750-753 (1996)
T.Yoshida,et al: "Reduction of p-ZnTe/p-ZnSe Valence Band Discontinuity by a Ga2Se3 Interfacial Layer" J.Crystal Growth. 159. 750-753 (1996)
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T.Yoshida 等人：“Ga2Se3 界面层减少 p-ZnTe/p-ZnSe 价带不连续性”J.Crystal Growth。
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