In situ X-ray investigation on InGaN SQWs with various growth conditions of quantum barrier by MOVPE
In situ X-ray investigation on InGaN SQWs with various growth conditions of quantum barrier by MOVPE
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通过 MOVPE 对具有不同量子势垒生长条件的 InGaN SQW 进行原位 X 射线研究
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G.X Ju;Y. Honda;M. Tabuchi;Y. Takeda;H. Amano
