第一原理計算で見たSiC(0001)上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程
第一原理計算で見たSiC(0001)上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程
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第一性原理计算显示 SiC(0001) 上外延石墨烯生长的初始过程
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
影島博之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
府金慶介;森 利之;鈴木 彰;中村紀久;吉川英樹;上田茂典;山下良之;小林啓介;Matolin Vladimir;内田さやか;影島博之
