窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究
窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究
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氮δ掺杂GaAs中氮原子对排列形成等电子陷阱的研究
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
矢口裕之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
星野真也;遠藤雄太;福島俊之;高宮健吾;八木修平;土方泰斗;望月敏光;吉田正裕;秋山英文;窪谷茂幸;尾鍋研太郎;片山竜二;矢口裕之
