Strain and Defect Engineering for the (110)-Oriented Si pMOSFETs
Strain and Defect Engineering for the (110)-Oriented Si pMOSFETs
复制标题
(110) 取向 Si pMOSFET 的应变和缺陷工程
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kiyokazu Nakagawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keisuke Arimoto;Junji Yamanaka;Kosuke O. Hara;Kentarou Sawano;Kiyokazu Nakagawa
