Gas/surface reactions in the chemical vapor deposition of tungsten using WF6/SiH4 mixtures
Gas/surface reactions in the chemical vapor deposition of tungsten using WF6/SiH4 mixtures
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使用 WF6/SiH4 混合物进行钨化学气相沉积中的气体/表面反应
DOI：
10.1116/1.575855
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发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
B. Eldridge
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Yu;B. Eldridge
我们使用X射线光电子能谱和分子束反应散射研究了WF 6/SiH 4混合物在Si（100）上的表面反应，这些反应与钨的化学气相沉积有关。整个反应过程为3SiH 4 + 2 WF 6 → 2 W +3SiF 4 + 6 H2，生成的HF很少。通过重复通过WF 6与硅的反应进行钨沉积和通过SiH 4与氟化钨表面的反应进行硅沉积的循环来进行反应。
We have studied the surface reactions of WF6/SiH4 mixtures on Si(100) that are relevant to the chemical vapor deposition of tungsten using x‐ray photoemission and molecular‐beam reactive scattering. The overall reaction is found to be 3SiH4+2WF6→2W+3SiF4+6H2 with very little production of HF. The reaction proceeds by repeating the cycle of tungsten deposition by the reaction of WF6 with silicon, and the deposition of silicon by the reaction of SiH4 with the fluorinated tungsten surface.