THE EFFECT OF RESIDUAL IMPURITIES ON ACCEPTOR CONCENTRATION IN GAASN FILMS GROWN BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
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残余杂质对化学束外延生长GAASN薄膜受主浓度的影响
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Nishimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Suzuki;K. Nishimura;T. Hashiguchi;Y. Ohshita;N. Kojima;and M. Yamaguchi;K. Nishimura
