ELECTRONIC STRUCTURE OF GAN STACKING FAULTS
ELECTRONIC STRUCTURE OF GAN STACKING FAULTS
复制标题
GaN 堆积断层的电子结构
DOI：
10.1103/physrevb.56.3564
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发表时间：
1997
影响因子：
3.7
通讯作者：
Z. Ikonić
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Z. Bandic;T. C. Mcgill;Z. Ikonić
