High-speed germanium photodiodes monolithically integrated on silicon with MBE
High-speed germanium photodiodes monolithically integrated on silicon with MBE
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采用 MBE 单片集成在硅上的高速锗光电二极管
DOI：
10.1016/j.tsf.2005.06.106
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
M. Berroth
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Oehme;J. Werner;M. Jutzi;G. Wöhl;E. Kasper;M. Berroth
