Logic circuit elements using single-electron tunnelling transistors
Logic circuit elements using single-electron tunnelling transistors
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使用单电子隧道晶体管的逻辑电路元件
DOI：
10.1049/el:19991231
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发表时间：
1999
影响因子：
1.1
通讯作者：
H. Ahmed
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Stone;H. Ahmed
逻辑元件已被证明使用单电子隧道晶体管。晶体管在电导振荡周期中的不同位置处被偏置，使得它们类似于n型或p型晶体管。尽管晶体管的增益较低，但电路在1.6 K的温度下工作稳定。
Logic elements have been demonstrated using single-electron tunnelling transistors. The transistors are biased at different positions in the conductance oscillation cycle so that they are analogous to either n-type or p-type transistors. The circuit operation is stable at a temperature of 1.6 K despite the low gain of the transistors.