Carbon incorporation process in GaAsN films grown by chemical beam epitaxy using MMHy or DMHy as the N source
Carbon incorporation process in GaAsN films grown by chemical beam epitaxy using MMHy or DMHy as the N source
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使用 MMHy 或 DMHy 作为氮源通过化学束外延生长的 GaAsN 薄膜中的碳掺入过程
DOI：
10.1016/j.tsf.2006.10.041
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
M. Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Suzuki;K. Nishimura;H. Lee;Y. Ohshita;N. Kojima;M. Yamaguchi
