ヒドリドイオンの電気的脱挿入を用いた酸水素化物の抵抗変化と抵抗変化メモリへの応用
ヒドリドイオンの電気的脱挿入を用いた酸水素化物の抵抗変化と抵抗変化メモリへの応用
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利用氢阴离子电脱嵌实现氢氧根电阻变化及其在电阻变化存储器中的应用
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
細野 秀雄
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山崎 智之; 高岡 遼生; 飯村 壮史; 金 正煥; 平松 秀典; 細野 秀雄
