低電圧駆動有機電界効果トランジスタメモリにおけるホールトラップ容量の解析
低電圧駆動有機電界効果トランジスタメモリにおけるホールトラップ容量の解析
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低压驱动有机场效应晶体管存储器中的空穴陷阱电容分析
DOI:
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发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
村田英幸
中科院分区:
文献类型:
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作者:
阿部泰之;酒井平祐;村田英幸