Bulk GaN growth by Gallium Vapor Transport technique
Bulk GaN growth by Gallium Vapor Transport technique
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通过镓蒸气传输技术进行块状 GaN 生长
DOI：
10.1002/pssc.200461553
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Spencer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hua;P. Konkapaka;Y. Makarov;M. Spencer
GaN 晶体在 1165 °C 和 600 Torr 的专用电阻加热反应器中生长。在这种方法中，通过GaN粉末的分解获得气态镓，同时通过氨的离解提供氮气。通过使用这种稳定的 Ga 源，GaN 的生长速度超过 200 µm/hr。使用这种方法生长的 GaN 单晶通过 X 射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、二次离子质谱 (SIMS) 和辉光放电质谱 (GDMS) 进行了广泛的表征。 （© 2005 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
GaN crystals were grown in a dedicated, resistively heated reactor at 1165 °C and 600 Torr. In this approach, gaseous gallium was obtained by the decomposition of GaN powder while nitrogen was provided from the dissociation of ammonia. GaN was grown at a rate of exceeding 200 µm/hr by using this stable Ga source. GaN single crystals grown using this method were extensively characterized by X-ray diffraction (XRD), Scanning electron microscopy (SEM), Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS), and Glow Discharge Mass Spectrometry (GDMS). (© 2005 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)