N-type conducting Si-doped AlInN/GaN DBRs with AlGaN graded layers
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具有 AlGaN 梯度层的 N 型导电硅掺杂 AlInN/GaN DBR
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Motoaki Iwaya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kenta Kobayashi;Kana Shibata;Tsuyoshi Nagasawa;Ruka Watanabe;Kodai Usui;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;and Motoaki Iwaya
