Atomic and electronic structure of Mn-doped Ga_2O_3 thin films and interfaces with MgAl_2O_4 substrates
Atomic and electronic structure of Mn-doped Ga_2O_3 thin films and interfaces with MgAl_2O_4 substrates
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Mn掺杂Ga_2O_3薄膜的原子电子结构及其与MgAl_2O_4衬底的界面
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroyuki Hayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小河佑介;片山翔太;林博之;大場史康;田中功;Hiroyuki Hayashi
