F4TCNQ吸着によるIn/Si-(√7×√3)の電子状態変調
F4TCNQ吸着によるIn/Si-(√7×√3)の電子状態変調
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F4TCNQ吸附对In/Si-(√7×√3)的电子态调制
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
坂本一之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
稲垣俊輔，榎原成則，小林宇宏，馬地蒼士郎，山本勇;坂本一之
