Interlayer magnetic interactions in π/3-twisted bilayer CrI3
Interlayer magnetic interactions in π/3-twisted bilayer CrI3
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δ/3 扭曲双层 CrI3 中的层间磁相互作用
DOI：
10.1063/5.0075060
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发表时间：
2021-11
影响因子：
4
通讯作者：
Fawei Zheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Haodong Yu;Jize Zhao;Fawei Zheng
双层CrI 3的层间磁相互作用对其器件应用起着至关重要的作用。在这项工作中，我们研究了层间磁相互作用在/3-扭曲双层CrI 3使用第一性原理计算。我们的计算表明，层间耦合可以是铁磁或反铁磁的关键取决于横向位移。最强的反铁磁层间相互作用出现在铁磁层间相互作用中。磁力理论计算表明，这种反铁磁相互作用是由eg-eg通道占主导地位。特别是层间反铁磁相互作用对外压非常敏感。这种高度可调的层间相互作用使得/3-扭曲双层CrI 3成为磁场效应晶体管和压力传感器的潜在构建块。
The interlayer magnetic interaction in bilayer CrI3 plays a crucial role for its device applications. In this work, we studied the interlayer magnetic interaction in /3-twisted bilayer CrI3 using first-principles calculations. Our calculations show that the interlayer coupling can be ferromagnetic or antiferromagnetic depending crucially on lateral shift. The strongest antiferromagnetic interlayer interaction appears in the ⎯⎯⎯-stacking. The magnetic force theory calculations demonstrate that such an antiferromagnetic interaction is dominated by the eg–eg channel. Particularly, the interlayer antiferromagnetic interaction is very sensitive to external pressure. This highly tunable interlayer interaction makes /3-twisted bilayer CrI3 a potential building block for magnetic field effect transistors and pressure sensors.
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