Takayoshi Shimura: "Epitaxially Ordered Structure in the Buried Oxide Layer of SIMOX Wafers"The Physics and Chemistry of SiO_2 and Si-SiO_2 Interface 4. 241-249 (2000)
Takayoshi Shimura: "Epitaxially Ordered Structure in the Buried Oxide Layer of SIMOX Wafers"The Physics and Chemistry of SiO_2 and Si-SiO_2 Interface 4. 241-249 (2000)
复制标题
Takayoshi Shimura：“SIMOX Wafers 埋氧化层中的外延有序结构”SiO_2 和 Si-SiO_2 界面的物理和化学 4. 241-249 (2000)
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
