Defect chemistry and doping of BiCuSeO
Defect chemistry and doping of BiCuSeO
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DOI：
10.1039/d1ta05112a
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发表时间：
2021-06
影响因子：
11.9
通讯作者：
Michael Y. Toriyama;Jiaxing Qu;G. J. Snyder;Prashun Gorai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Michael Y. Toriyama;Jiaxing Qu;G. J. Snyder;Prashun Gorai
我们探索了一种众所周知的p型热电材料BiCuSeO的n型掺杂，并发现卤素是最有效的n型掺杂剂。
We explore n-type doping of BiCuSeO, an otherwise well-known p-type thermoelectric material, and find halogens to be the most effective n-type dopants.