Lateral tunneling injection and peripheral dynamic charging in nanometer-scale Schottky gates on AlGaN/GaN hetrosturucture transistor
Lateral tunneling injection and peripheral dynamic charging in nanometer-scale Schottky gates on AlGaN/GaN hetrosturucture transistor
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AlGaN/GaN 异质结构晶体管纳米级肖特基栅极的横向隧道注入和外围动态充电
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Kotani;S.Kasai;T.Hashizume;H.Hasegawa
