Large resistance ratio for high reliability of multi-Level storage in phase-change memory
Large resistance ratio for high reliability of multi-Level storage in phase-change memory
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大电阻比，实现相变存储器多级存储的高可靠性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Hosaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yin;T. Noguchi;H. Ohno;S. Hosaka
