InGaN 半導体レーザ励起Pr:YLFレーザの第三次高調波発生
InGaN 半導体レーザ励起Pr:YLFレーザの第三次高調波発生
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InGaN半导体激光器泵浦Pr:YLF激光器的三次谐波产生
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
神成文彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
清田恭章;田中裕樹;飯島功大;神成文彦
