Lattice relaxation in semipolar (1-101) InGaN/GaN on silicon substrates
Lattice relaxation in semipolar (1-101) InGaN/GaN on silicon substrates
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硅衬底上半极性 (1-101) InGaN/GaN 的晶格弛豫
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Tanikawa;S.Sakakura;Y.Honda;M.Yamaguchi;H.Amano
