A Unified Computational Scheme for 3D Statistical Simulation of Reliability Degradation of Nanoscale MOSFETs

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纳米级MOSFET可靠性退化3D统计模拟的统一计算方案

DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD
影响因子：
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通讯作者：
Adamu-Lema F.
Adamu-Lema F.
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Adamu-Lema F.

文献摘要

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