Control of in-plane epitaxial relationship of c-plane AlN layers grown on a-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy
Control of in-plane epitaxial relationship of c-plane AlN layers grown on a-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy
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通过氢化物气相外延控制在 a 面蓝宝石衬底上生长的 c 面 AlN 层的面内外延关系
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Akinori Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jumpei Tajima;Rie Togashi;Hisashi Murakami;Yoshinao Kumagai;Kazuya Takada;Akinori Koukitu
